بررسی رشد و مشخصه نگاری لایه های نامتجانس ‏‎gaas/algaas‎‏، رشد داده شده به روش ‏‎mbe‎‏ و بهبود خواص الکتریکی آن

در پیوند ناهمگون ‏‎algaas/gaas‎‏ ، بدلیل متفاوت بودن مواد تشکیل دهنده پیوند ، در مرز پیوند رفتاری کاملا متفاوت ، نسبت به ساختار همگون بوجود می آید. در مرز پیوند بدلیل عدم تقارن در رشد جانبی در جهات مختلف کریستالی ، نوسانات مرزی در حد یک لایه اتمی بوجود می آید. بدلیل وجود تفاوت در گاف انرژی ‏‎algaas‎‏ و‏‎gaas‎‏، در مرز پیوند و در ناحیه ‏‎gaas‎‏ چاه پتانسیل مثلثی شکل بسیار نازک به ضخامت حدودا ‏‎20a‎‏، تشکیل می گردد. بطور تقریبی تمامی حاملهای الکتریکی، در کانال مثلثی شکل جمع شده و عمل هدایت را در این کانال انجام می دهند. به این ناحیه، گاز الکترون دو بعدی (‏‎2deg‎‏) گفته می شود. در دمای پایین ، اثر ناخالصی های ذاتی و ناخالصیهای یونیزه شده بسیار چشمگیر می باشد. جهت کاهش این اثر می توان از لایه واسط ‏‎algaas‎‏ غیرتغلیظ شده، بین ‏‎gaas‎‏ و ‏‎n(p)-algaas‎‏ استفاده کرد. در دمای بالا(دمای اتاق)، اثر فونونهای اپتیکی حائز اهمیت می باشد. برای کاهش این اثر می توان از خاصیت شبکه های تحت کرنش بهره برد. با ایجاد کرنش انقباظی در شبکه می توان ثابت شبکه را کاهش داده و در نهایت موبیلیته را افزایش داد. براین اساس ساختار پیشنهادی جهت رسیدن به چنین هدفی می باشد.